RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2408
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link