RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

总分
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

总分
star star star star star
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.5 left arrow 15.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 19200
    左右 1.33% 更高的带宽
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB 需要考虑的原因
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 38
    左右 -58% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    38 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    15.5 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    12.0 left arrow 7.8
  • 内存带宽，mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2283 left arrow 2408

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
内存RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
内存RAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
内存RAM