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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
17.6
21.2
写入速度,GB/s
12.0
15.4
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3486
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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