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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
33
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.2
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
31
Velocità di lettura, GB/s
17.6
21.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3486
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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