RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2781
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link