RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
23
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
19.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
4100
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link