RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
50
Intorno -61% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
31
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
11.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
2585
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link