RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
65
Intorno -183% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
23
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
2495
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link