RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
51
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
30
Velocità di lettura, GB/s
15.6
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3158
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link