RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3158
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link