RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
76
Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.9
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
76
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
1260
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link