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Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Confronto
Kingston KYXC0V-MIB 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
35
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
9.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
35
Velocità di lettura, GB/s
14.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.9
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2739
2672
Kingston KYXC0V-MIB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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