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Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
45
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
8.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
4.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
38
Velocità di lettura, GB/s
8.1
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
4.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1302
2283
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
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