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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Confronto
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Motivi da considerare
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
40
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
22
Velocità di lettura, GB/s
14.4
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2455
3075
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Confronto tra le RAM
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SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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