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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Punteggio complessivo
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Motivi da considerare
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 16
    Valore medio nei test
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 59
    Intorno -146% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.5 left arrow 1,855.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 5300
    Intorno 3.62 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    59 left arrow 24
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,168.0 left arrow 16.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,855.7 left arrow 12.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    680 left arrow 2925

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Confronto tra le RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
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Memoria RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Memoria RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Memoria RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Memoria RAM
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