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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Confronto
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Punteggio complessivo
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
49
59
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
1,855.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
49
Velocità di lettura, GB/s
4,168.0
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,855.7
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
680
2534
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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