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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Punteggio complessivo
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Punteggio complessivo
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Motivi da considerare
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 15.6
    Valore medio nei test
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 59
    Intorno -146% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.1 left arrow 1,855.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 5300
    Intorno 3.62 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    59 left arrow 24
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,168.0 left arrow 15.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,855.7 left arrow 12.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    680 left arrow 2852

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Confronto tra le RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Confronto tra le RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Memoria RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Memoria RAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Memoria RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
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