RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
2852
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Lenovo 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link