RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Confronto
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Punteggio complessivo
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
59
Intorno -157% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
1,855.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
23
Velocità di lettura, GB/s
4,168.0
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,855.7
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
680
3317
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link