RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
59
Около -157% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,855.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,168.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,855.7
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
680
3317
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link