RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
33
Intorno -32% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
25
Velocità di lettura, GB/s
17.8
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2290
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link