RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de -32% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
25
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2290
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FHD-CH9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link