RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.1
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
28
Velocità di lettura, GB/s
17.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
16.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
3772
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston HX316C10F/8 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link