RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
3772
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link