RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
33
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
23.4
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.3
12.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
29
Velocità di lettura, GB/s
17.8
23.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
18.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
4208
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link