Confronto tra le RAM Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 40

Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.8 9.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.0 6.9

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 10600

Intorno 1.81 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2143 2031

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns