RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2031
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link