RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
52
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
52
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2306
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link