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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Motivi da considerare
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
10.5
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
3285
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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