RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
50
52
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
52
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
10.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2176
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link