RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
52
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
52
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2176
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link