RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
52
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
52
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2176
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link