RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
35
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3127
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link