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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Motivi da considerare
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
10.5
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
3392
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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