RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Comparar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Pontuação geral
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
11.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1425
3392
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparações de RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link