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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Confronto
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
45
Intorno 36% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
10.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
8500
Intorno 3.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
45
Velocità di lettura, GB/s
10.5
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
25600
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1425
2925
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Confronto tra le RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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