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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Comparar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de 36% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8500
Por volta de 3.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
45
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
12.8
Largura de banda de memória, mbps
8500
25600
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1425
2925
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-044.A00G 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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