Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Punteggio complessivo
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Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB

Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    22 left arrow 29
    Intorno -32% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.1 left arrow 10.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 7.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 8500
    Intorno 2.51 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 22
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.5 left arrow 18.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.1 left arrow 12.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1425 left arrow 2580
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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