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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
43
Intorno -54% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
28
Velocità di lettura, GB/s
14.4
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2422
3669
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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