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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
43
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
35
Velocità di lettura, GB/s
14.4
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2422
3045
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Confronto tra le RAM
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Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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