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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
43
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
33
Velocità di lettura, GB/s
14.4
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2422
2693
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
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Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
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