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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Motivi da considerare
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
40
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
20
Velocità di lettura, GB/s
13.6
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
2707
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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