Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    33 left arrow 40
    Intorno -21% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.2 left arrow 13.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.0 left arrow 8.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 10600
    Intorno 2.01 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    40 left arrow 33
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.6 left arrow 16.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.3 left arrow 12.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2035 left arrow 3116
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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