RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
40
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3116
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link