RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
48
Intorno 17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
10.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
48
Velocità di lettura, GB/s
13.6
10.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
2431
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link