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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
AMD R744G2400U1S 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Motivi da considerare
AMD R744G2400U1S 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
28
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
22
Velocità di lettura, GB/s
12.9
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2862
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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