RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против AMD R744G2400U1S 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
AMD R744G2400U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
AMD R744G2400U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2862
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link