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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
12.9
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
3425
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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