RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3425
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link