RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
35
Velocità di lettura, GB/s
12.9
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
3060
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link