RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3060
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link